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Structural change by high-energy ion irradiation and post-annealing in EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$

EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$における高エネルギーイオン照射による構造変化と後熱処理

佐藤 浩行*; 石川 法人   ; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 橋本 健男*; 道上 修*

Sato, H.*; Ishikawa, Norito; Iwase, Akihiro; Chimi, Yasuhiro; Hashimoto, Takeo*; Michikami, Osamu*

酸化物超伝導体は、高エネルギーイオン照射による高密度電子励起により、その軌跡に沿って柱状欠陥を生成する。今回は、酸素量を変えたEuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$(y=7, y=6)に200MeV Auイオンを室温で照射し、その後熱処理を行った。照射後の試料を酸素雰囲気中で熱処理(550$$^{circ}C$$)することで、c軸の格子定数は完全に回復した。ここで、生成された柱状欠陥は、熱処理では回復しないと思われる。したがって、ピニングセンターとしての柱状欠陥を残しつつ、超伝導性を回復することができるものと思われる。このように、柱状欠陥の質や数を、照射と照射後のアニールを組み合わせることにより制御することができる。

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