Defect production and radiation annealing in platinum irradiated with high-energy heavy ions

高エネルギー重イオン照射した白金における欠陥生成と照射アニーリング

知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫*

Chimi, Yasuhiro; Iwase, Akihiro; Iwata, Tadao*

白金薄膜に10K以下で高エネルギーイオン照射したときの欠陥の蓄積を電気抵抗率測定により調べた。実験結果は欠陥生成と選択的照射アニーリングを記述するようなモデルを用いて解析された。高エネルギー(100MeV)重イオン照射において、電子励起による照射アニーリングがおもに照射初期に観測された。欠陥蓄積曲線及び欠陥回復スペクトルから、電子励起によって誘起された格子の擾乱に相当する実効温度が見積もられた。

Accumulation of defects during energetic ion irradiation below 10K in platinum thin films is studied by electrical resistivity measurements. Experimental results are analyzed by using a model which describes the production and selective radiation annealing of defects. For high-energy (100MeV) heavy ion irradiations, radiation annealing process due to electronic excitation is found mainly at the initial stage of irradiation. From the defect accumulation curve and defect recovery spectra, the effective temperature corresponding to the lattice agitation induced by electronic excitation is estimated.