and T profiles of H-mode JFT-2M plasma山内 俊彦; 小田島 和男; 上杉 喜彦; 相川 裕史; D.Dimock*; 川島 寿人; 河西 敏; 河上 知秀; 前田 彦祐; 松田 俊明; 松本 宏; 三浦 幸俊; 森 雅博; 中沢 一郎*; 小川 宏明; 小川 俊英; 大麻 和美; 大塚 英男; 仙石 盛夫; 荘司 昭朗
Yamauchi, Toshihiko; Odajima, Kazuo; Uesugi, Yoshihiko; not registered; D.Dimock*; Kawashima, Hisato; Kasai, Satoshi; Kawakami, Tomohide; Maeda, Hikosuke; Matsuda, Toshiaki; Matsumoto, Hiroshi; Miura, Yukitoshi; Mori, Masahiro; Nakazawa, Ichiro*; Ogawa, Hiroaki; Ogawa, Toshihide; not registered; Otsuka, Hideo; Sengoku, Seio; Shoji, Teruaki
JFT-2MプラズマのHモード遷移が電子温度約0.3KeVのペデェスタルと驚くべき電子密度の急勾配(セパトリックスの内側)の生成という形で生じている。ピークした分布から平坦になった電子密度分布がHモード及びオーミック加熱プラズマに対して内部破壊後に得られている。ホロー分布の密度が低磁場(低q)放電において観測された。これらの現象は分布の(平坦な領域)端における電子エネルギーの輸送の減少した結果(閉じ込めの改善)を示す。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 131 |
号 |
: | 4-5 |
ページ数 |
: | p.301 - 309 |
発行年月 |
: | 1988/08 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：34.42 分野：Physics, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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