バルク半導体中の欠陥

Defects in bulk semiconductors

河裾 厚男; 長谷川 雅幸*

Kawasuso, Atsuo; Hasegawa, Masayuki*

本論文は、日本金属学会会報における「陽電子消滅法による材料評価の進展」と題する特集号に掲載されるもので、特に、普及型陽電子消滅法を用いて近年行われているバルク半導体中の欠陥挙動解析の現状をレビューしたものである。本論文では、シリコン及びガリウム砒素にスポットをあて、照射誘起欠陥、変形誘起欠陥そして育成時導入欠陥に関して得られた知見について述べた。前半部では、半導体中の欠陥と陽電子の相互作用過程(陽電子捕獲や消滅)について特徴的な事柄を金属結晶の場合と対比させて述べた。後半部では、陽電子消滅法によって明らかにされた空孔クライスターの形成過程や転位芯における陽電子消滅、空孔周りに誘起されている格子緩和などユニークで学問的にも工業的にも有用な知見について詳述した。

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