吉川 正人; 斎藤 一成*; 大島 武; 伊藤 久義; 梨山 勇; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Yoshikawa, Masahito; not registered; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Nashiyama, Isamu; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
照射した酸化膜を斜めにエッチングした傾斜酸化膜を用いて、膜圧の異なる6H-SiC MOS構造を作製し、そのC-V特性を用いて照射によって蓄積した固定電荷の深さ方向分布を求め(傾斜エッチング)、極めて長い緩和時間を持つ界面準位が6H-SiC/SiO
界面近傍に存在する可能性を調べた。その結果、6H-SiC/SiO界面から離れた酸化膜内部には正の、6H-SiC/SiO界面近傍には負の固定電荷が蓄積していることがわかった。また界面近傍の負の固定電荷の一部は電荷のやりとりをしない極めて長い緩和時間を持つ界面準位である可能性のあることがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | 14th Symp. on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei Univ. |
巻 |
: | 0 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.159 - 165 |
発行年月 |
: | 1996/00 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1995/12 |
開催都市 |
: | 小金井 |
開催国 |
: | |
キーワード |
: |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
論文解説記事 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
被引用回数：