Electronic excitations in hole-doped LaSrMnO studied by resonant inelastic X-ray scattering

ホールをドープしたマンガン酸化物の共鳴非弾性X線散乱

石井 賢司; 稲見 俊哉; 大和田 謙二; 葛下 かおり; 水木 純一郎; 村上 洋一; 石原 純夫*; 遠藤 康夫*; 前川 禎通*; 廣田 和馬*; 守友 浩*

Ishii, Kenji; Inami, Toshiya; Owada, Kenji; Kuzushita, Kaori; Mizuki, Junichiro; Murakami, Yoichi; Ishihara, Sumio*; Endo, Yasuo*; Maekawa, Sadamichi*; Hirota, Kazuma*; Moritomo, Yutaka*

LaSrMnO(x=0.2,0.4)についてMnのK吸収端での共鳴X線非弾性散乱法により電子励起の研究を行った。ホールドープで金属化したことによるギャップの消失がLaSrMnOにおいて観測できた。また、温度により金属絶縁体転移を示すLaSrMnOでは、散乱強度の温度変化に顕著な異方性が見られており、これはMn酸化物に特有の軌道自由度を反映した異方的な電子状態の変化を捉えたものと考えられる。

We have studied electronic excitations of hole-doped manganese oxides LaSrMnO ( and ) by resonant inelastic X-ray scattering at Mn K absorption edge. We observed in the excitation spectra that the Mott gap of LaSrMnO was filled by hole-doping. In LaSrMnO, which shows a metal-insulator transition, we found that temperature dependence of scattering intensity is different between two scattering vectors. It may reflects a anisotropic electronic structure which originates from the orbital degrees of freedom in manganese oxides.