化学蒸着SiCの熱力学計算

Themodynamic Calculations for Chamical Vapor Deposition of Silicon Cable

Minato, Kazuo; not registered; Ikawa, Katsuichi

自由エネルギー最小化法に基づく計算コードSOLGASMIX-PVを用いて、CH $_{3}$ SiCle $_{3}$ -H $_{2}$ -Ar系の熱力学計算を行ない、CVD-状態図を得た。条件により、-SiC、-SiC+C(S)、-SiC+Si(S)、-SiC+Si(l)、Si(S)、Si(l)、またはC(S)が蒸着する領域があることがわかった。また、CH $_{3}$ SiCle $_{3}$ -H $_{2}$ -Ar系では、-SiC+C(S)またはC(S)が蒸着することがわかった。これらの計算結果と報告されている蒸着実験結果とを比較した結果、-SiCが蒸着すると予測された領域の高温部(約2000K以上)で-SiC+C(S)が、低温部(約1700K以下)で-SiC+Si(S)がそれぞれ蒸着しており、SiCの蒸着機構を考察する上で重要な結果を得た。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
報告書番号	:	JAERI-M 85-043
ページ数	:	27 Pages
発行年月	:	1985/03
特許データ	:
PDF	:	JAERI-M-85-043.pdf:0.9MB
論文URL	:	https://doi.org/10.11484/jaeri-m-85-043
キーワード	:	HTGR Fuel; Coated Fuel Particles; Silicon Carbide; Phase Diagram; Gibbs Free Energy; Chemical Vapor Deposition; Thermodynamic Calsulation
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:
他機関報告書番号	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : M19850043
抄録集掲載番号 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.