反応性PLD法により形成されたアモルファスシリコンカーバイド薄膜の構造

Structure of the a-SiC film prepared by reactive Pulsed Laser Deposition (PLD)

佐伯 盛久; 大場 弘則  ; 山田 洋一; 山本 博之; 江坂 文孝  ; 横山 淳

Saeki, Morihisa; Oba, Hironori; Yamada, Yoichi; Yamamoto, Hiroyuki; Esaka, Fumitaka; Yokoyama, Atsushi

反応性気体中で固体試料のレーザー蒸発を行い、発生するプラズマと気体試料との反応生成物を基板に堆積することにより化合物薄膜を作製することができる。この手法は反応性PLD法と呼ばれており、例えばアセチレン雰囲気下でシリコンをレーザー蒸発するとアモルファスシリコンカーバイド(a-SiC)膜が形成されることが知られている。本研究では反応性PLD法により2つの異なる作製条件下でa-SiCを作製し、さらにその作製した薄膜の構造・組成比を反射型フーリエ変換赤外分光法(FTIR),エネルギー分散型蛍光分光法(EDX)及びX線光電子分光法(XPS)により分析した。そして、シリコンプラズマと反応するアセチレンをネオンガスで希釈することにより、生成するa-SiC膜中のシリコンとカーボンの組成比を変えられることを示した。また分析の結果、作製したa-SiCの膜厚はmオーダーになっており、また、膜の表面と内部ではSiとCの組成比が異なっていることを明らかにした。

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