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磁気フィルター付水素負イオン源における負イオンビーム空間的一様性の研究; セシウム添加型負イオン源内での負イオン生成・輸送過程が負イオンビーム強度分布に与える影響(共同研究)

Spatial uniformity of negative ion beam in magnetically filtered hydrogen negative ion source; Effect of the H$$^{-}$$ ion production and transport processes on the H$$^{-}$$ ion beam intensity profile in the Cs-seeded negative ion source (Joint research)

高戸 直之; 戸張 博之; 井上 多加志; 花田 磨砂也; 関 孝義*; 加藤 恭平*; 畑山 明聖*; 坂本 慶司

Takato, Naoyuki; Tobari, Hiroyuki; Inoue, Takashi; Hanada, Masaya; Seki, Takayoshi*; Kato, Kyohei*; Hatayama, Akiyoshi*; Sakamoto, Keishi

セシウム添加型負イオン源から引き出された大電流密度負イオンビーム強度が空間的に非一様となるメカニズムを解明するため、JAEA10アンペア負イオン源内でのプローブ測定及び負イオンビーム強度測定を行った。実験結果を考察するため、レート方程式及び粒子(電子・原子・負イオン)軌道追跡を用いた数値解析を行った。その結果、(1)セシウムを導入して負イオンの表面生成反応を促進した状態では、体積生成時とは逆に高い電子温度の領域で高い負イオンビーム強度が得られることを明らかにした。レート方程式を用いた数値解析から、表面生成された負イオンは高速電子によって破壊される前に引き出されることが推定された。(2)1次電子はB$$times$$$$bigtriangledown$$Bドリフトによってイオン源内で局在化することを確認し、フィラメントの配置を改良して1次電子のドリフトを抑制することにより、負イオンビーム強度の空間的非一様性が改善されることを示した。

The origin of the H$$^{-}$$ ion beam non-uniformity under the Cesium seeded condition was studied in the JAEA 10 Ampere negative ion source by measuring the profiles of the beam intensity and plasma parameters. The numerical analyses, such as the trace of particles (the electron, the H$$^{0}$$ atom and the H$$^{-}$$ ion) trajectories using the Monte Carlo method, were also applied to consider the experimental results.

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