大口径シリコン均一照射試験装置の設計

Design of an uniform-irradiation test facility for large-diameter silicon

山本 和喜 ; 米田 政夫   ; 八木 理公 ; 渡邊 雅範; 佐川 尚司

Yamamoto, Kazuyoshi; Komeda, Masao; Yagi, Masahiro; Watanabe, Masanori; Sagawa, Hisashi

本研究は中性子核変換ドーピング(NTD)法による最大12インチ径までの大口径シリコン半導体の照射技術を開発し、高品位IGBTの低コスト化を促進させ、省エネ効果の高いハイブリット車の普及に貢献することを目標としている。12インチ径のNTD-Siの径方向の中性子束分布を均一化する照射条件を解析的に見いだし、この条件を実現するための照射実験装置を開発し、JRR-4(3.5MW)で照射実験を行う予定にしており、その概念設計が終了したので報告を行う。また、JRR-3(20MW)への12インチ径の照射装置の設置を検討し、JRR-3における照射条件についても解析的に見いだすことができたので、合わせて報告する。

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