n-CHにおける捕捉電子形成

Formation of trapped electrons in n-CH

Zgardzinska, B.*; 平出 哲也  ; Goworek, T.*

Zgardzinska, B.*; Hirade, Tetsuya; Goworek, T.*

n-CHで120Kと170Kの間で温度を変化させ、その際のポジトロニウム形成強度の時間変化を観測した。その結果、120Kから170Kへ移行すると陽電子の拡散距離の変化によってポジトロニウム形成強度は増大するが、その後、時間とともにポジトロニウム形成強度は少しずつ減少していくことがわかった。陽電子の拡散距離の増大と同様に、イオン化の際に放出された電子の拡散距離も増大していると考えられ、捕捉電子密度の飽和過程には電子の拡散距離の変化が影響していると考えられる。飽和炭化水素であるn-CH中では、おそらく飽和密度での捕捉電子間の平均距離は数十nm程度と考えられ、この距離が電子の平均拡散距離を表していると考えられる。

Time dependence of positronium (Ps) formation yields were measured for n-CH at 120 K and 170 K. Just after elevating the temperature from 120 K to 170 K, Ps formation yield increased, probably because the change of diffusion length of positrons, but decreased gradually afterword. This decrement is probably caused by the change of diffusion length of electrons. The mean distance between trapped electrons at the saturated situation is about several 10 nm and it is probably indicating that the diffusion length of electrons.