内部RFアンテナとICP遷移

Transition into ICP connected with internal RF antenna

山内 俊彦; 管野 善則*; 小林 清二*; 杉林 秀之*

Yamauchi, Toshihiko; Kanno, Yoshinori*; Kobayashi, Seiji*; Sugibayashi, Hideyuki*

内部アンテナRF加熱CVDプラズマに関して研究を進め、アンテナの巻き数と遷移閾値の関係などを明らかにした。特に面白い結果として、(1)自己制御ICPパルス(self-controlled ICP pulse)の発生,(2)ICP遷移トリガーとして電子温度の重要性、及び(3)アンテナ電位(負)VPrf等があげられる。さて遷移はRF加熱電子による急激な衝突電離で立ち上がるが、ガス圧が低いときは低衝突により電子増加割合が小さく、また高い時は衝突電離と再結合の平衡により増加割合は1に達する。プラズマからの放射光の時間変化をホトダイオードで観測した。ガス圧とともに立ち上がり時間はリニアに増加している。ここで特異的なことは、20Pa以上で立ち上がりが2段階で生じていることである。このような興味深い遷移物理を解明するため温度等(Te, Ti, ne, no)を計測及び考察し、その結果を発表する予定である。

no abstracts in English