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金属格子間隙に導入された荷電粒子と局在$$f$$電子の静電相互作用; $$f$$電子系金属間化合物PrPb$$_3$$における$$mu^+$$SR

Electrostatic interactions between localized $$f$$-electrons and an interstitial charged particle in metal; $$mu^+$$SR in an $$f$$-electron intermetallic compound PrPb$$_3$$

伊藤 孝   ; 髭本 亘  

Ito, Takashi; Higemoto, Wataru

局在$$f$$電子系の格子間隙に+1価の荷電粒子を導入した際に、最近接位置の局在$$f$$電子がいかなる影響を受けるかという問題に対し、PrPb$$_3$$における$$mu^+$$SRにより明らかになった知見について解説する。PrPb$$_3$$に$$mu^+$$を打ち込んだ際、$$mu^+$$は2つのPrイオンに挟まれた位置に停止し、周囲の結晶場に摂動を加える。この効果は最近接Prの増強核磁性に極めて強い異方性を与えることが零磁場$$mu$$SRにより明らかになった。この異方性は結晶場の低対称化による$$f$$電子磁化率の変化に帰することができる。ただし、点電荷モデルに基づく考察からは、$$mu^+$$サイトに負の有効電荷が生じているという結論が導かれる。この有効電荷の符号の逆転から、結晶場に対する伝導電子の寄与の重要性が示唆される。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

固体物理

巻

 :

45

号

 :

2

ページ数

 :

p.101 - 109

発行年月

 :

2010/02

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

http://ci.nii.ac.jp/naid/40017025651

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使用施設

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広報プレスリリース

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