水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導

Radiation induced conductivity of hydrogenated amorphous silicon

佐藤 真一郎; 齋 均*; 大島 武; 今泉 充*; 島崎 一紀*; 近藤 道雄*

Sato, Shinichiro; Sai, Hitoshi*; Oshima, Takeshi; Imaizumi, Mitsuru*; Shimazaki, Kazunori*; Kondo, Michio*

プラズマ化学気相成長法によりガラス基板上に製膜したa-Si:H薄膜にAl電極を施し、一定電圧を印加した状態で、10MeV陽子線照射中の電気伝導度変化をその場測定した。暗状態及び光照射状態での電気伝導度変化を比較したところ、どちらも照射とともに急激に上昇するが、その後減少に転じ、減少もやがて緩やかになるという結果を得た。特に、電気伝導度の最大値付近では両者がほぼ等しく、これは光照射によって生じた伝導キャリア(電子正孔対)が、電気伝導の主因になっていないということを意味しており、電気伝導度の劇的な上昇は一般的な絶縁体や結晶系半導体においてみられる放射線誘起電気伝導とは異なる機構によるものであることがわかった。

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