SiO/4H-SiCエネルギーバンド構造に対する界面特性改善処理の影響

Effect of SiO/4H-SiC interface passivalon on energy band alignment between SiO and 4H-SiC

細井 卓治*; 桐野 嵩史*; Chanthaphan, A.*; 池口 大輔*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 箕谷 周平*; 中野 佑紀*; 中村 孝*; 志村 考功*; 渡部 平司*

Hosoi, Takuji*; Kirino, Takashi*; Chanthaphan, A.*; Ikeguchi, Daisuke*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Mitani, Shuhei*; Nakano, Yuki*; Nakamura, Takashi*; Shimura, Takayoshi*; Watanabe, Heiji*

SiC-MOSデバイスの信頼性を左右するSiO/SiC界面の伝導帯オフセットについて、放射光光電子分光法により評価した。SiO膜をスパッタ堆積により形成した場合、熱酸化膜よりも伝導帯オフセットが小さく、また高温水素ガスアニールにより熱酸化SiO/SiC界面の炭素不純物起因の界面欠陥は低減される一方で、伝導帯オフセットもまた減少することがわかった。

A balence band off-set of SiO/SiC interface, which affects the reliability of SiC-MOS devises, was evaluated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy. An SiO film formed by sputtering deposition showed smaller off-set than that of thermal oxide film. Interface defects, originate in carbon impurities, and balence band off-set of thermal SiO/SiC interface were decreased by annealing in the high temperature hydrogen gas.