汎用SXES開発のためのTEM用広帯域SXESの試作,2

Trial manufacture of wide band SXES installed in TEM for development of all-purpose SXES, 2

寺内 正己*; 佐藤 庸平*; 高橋 秀之*; 飯田 信雄*; 村野 孝訓*; 小池 雅人; 河内 哲哉; 今園 孝志; 長谷川 登; 小枝 勝*; 長野 哲也*; 笹井 浩行*; 大上 裕紀*; 米澤 善央*; 倉本 智史*

Terauchi, Masami*; Sato, Yohei*; Takahashi, Hideyuki*; Handa, Nobuo*; Murano, Takanori*; Koike, Masato; Kawachi, Tetsuya; Imazono, Takashi; Hasegawa, Noboru; Koeda, Masaru*; Nagano, Tetsuya*; Sasai, Hiroyuki*; Oue, Yuki*; Yonezawa, Zeno*; Kuramoto, Satoshi*

TEM用軟X線発光分光(SXES)装置(測定範囲は拡張仕様で60-2000eV)をより広く材料への応用に対応するため、測定領域を50-3800eVへ拡張するとともに解析ソフトも含めた「ナノスケール軟X線発光分光システムの開発」(科学技術振興機構-産学共同シーズイノベーション化事業:平成20-平成23)を行っている。今回は、高エネルギー側をこれまでの約2keVから約4keVまで拡張する新たな回折格子の試作とその実験結果を報告する。最近メモリーデバイス等に使われるTeやSeの分析が要望されているが、3.7keVのTe-L発光を従来のAu蒸着の回折格子では測定不可能である。今回、回折格子基板の上に多層膜(WとBCを交互に20周期程度)を形成し、それにより2-4keVの範囲をカバーする回折格子の開発を試みた。検出器には画素サイズが12ミクロンの軟X線用CCDカメラを用いた。現在、マスター回折格子(溝を形成したガラス基板)に多層膜を形成した物を用い、Te単結晶から、L1(4030eV)の測定に成功している。さらに、同じ設定でPt-M(2050eV), Pd-M(2839eV), In-L(3287eV)も測定できており、2-4keV領域をカバーできることが確認された。

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