ラプラスDLTSによる4H-SiC pnダイオードの欠陥評価

Defects characterization of 4H-SiC pn diode by laplace DLTS

小池 俊平*; 岩本 直也; 小野田 忍; 大島 武; 児島 一聡*; 小泉 淳*; 小野 洋*; 内田 和男*; 野崎 眞次*

Koike, Shumpei*; Iwamoto, Naoya; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Kojima, Kazutoshi*; Koizumi, Atsushi*; Ono, Hiroshi*; Uchida, Kazuo*; Nozaki, Shinji*

炭化ケイ素(4H-SiC)のエピタキシャル層に存在するZ/Zセンターと呼ばれる欠陥準位の高分解能測定を行った。pnダイオードを作製し、通常のDLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法により得られるスペクトルをもとに、逆ラプラス変換を用いることで、Z/Zセンターを2つのピークに分離することができた。従来分離することのできなかったZ/Zセンターの活性化エネルギーをより高分解能に評価することに成功し、ZとZの活性化エネルギーがそれぞれ0.54eVと0.69eVであることがわかった。

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