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粒子線によるDNA損傷,4; 粒子線の軌道付近の電子密度,電子温度

DNA damage due to particle irradiation, 4; Electron dencity and temperature

森林 健悟

Moribayashi, Kengo

低エネルギーの重粒子線が細胞に照射されると衝突電離で生じた水イオンの電場で二次電子が粒子線の軌道付近にトラップされることを以前、明らかにしたが、本発表では軌道付近の電子の密度,電子の温度を示し、それによって再結合が起きる時間を議論する。3MeV/uのエネルギーの炭素線が照射させると軌道から1nm以内に10$$^{20}$$/cm$$^3$$-10$$^{21}$$/cm$$^3$$の密度、5-10eVの温度の電子が存在する。この電子が再結合を起こす時間は数10fsから100fs程度であることがわかり、100fsを超えるシミュレーションでは再結合過程が不可欠であることを明らかにした。

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