Ion-track membranes of poly(vinylidene fluoride); Etching characteristics during conductomeric analysis

ポリフッ化ビニリデンからなるイオン穿孔膜; コンダクトメトリー分析におけるエッチング特性

Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; 勝村 庸介*

Nuryanthi, N.*; Yamaki, Tetsuya; Koshikawa, Hiroshi; Asano, Masaharu; Sawada, Shinichi; Hasegawa, Shin; Maekawa, Yasunari; Katsumura, Yosuke*

450MeV Xeイオンを照射したポリフッ化ビニリデン膜(25m厚)に対し、エッチング剤に80Cの9mol dm水酸化カリウム水溶液を用いて、コンダクトメトリー分析を行った。分析時に1.0Vの交流電圧を印加したとき、孔径16820nmのイオン穿孔膜が得られた。それに対し、電圧を全く印加しない通常の化学エッチングではその3分の2程度の孔径であった。コンダクトメトリー分析における電圧印加によって、孔径制御の自由度が高くなることが期待される。

We report here how conditions of the conductometric analysis affected the etching characteristics of 25 m-thick poly(vinylidene fluoride) film irradiated with 450 MeV Xe ions. The etching was performed in a 9 mol dm aqueous potassium hydroxide solution at 80C in a conductometric cell. According to the scanning electron microscope observations, the ion-track membrane obtained with an applied AC voltage of 1.0 V had the surface pores of 16820 nm in diameter. On the other hand, the etching without an applied voltage gave the approximately two-thirds smaller pores. The conductomeric etching would provide a higher degree of freedom for controlling the pore diameter.