単結晶YbRhSiのNMR

NMR study in single crystal YbRhSi

神戸 振作  ; 徳永 陽  ; 酒井 宏典   ; 松田 達磨*; 芳賀 芳範   ; Lapertot, G.*; 青木 大*; Flouquet, J.*; Brison, J.-P.*

Kambe, Shinsaku; Tokunaga, Yo; Sakai, Hironori; Matsuda, Tatsuma*; Haga, Yoshinori; Lapertot, G.*; Aoki, Dai*; Flouquet, J.*; Brison, J.-P.*

NMR核であるSi同位体を52%濃縮した高品質YbRhSiのを作成した。この単結晶試料を用いて、NMRスピン格子緩和時間T1測定を行った。この化合物では、H//c軸では0.66T、H//a軸では0.06Tで量子臨界点近傍になっていると推測されている。今回は、低温40mKまでのスピン-格子緩和時間をH//c軸及びH//a軸の磁場依存を測定した。その結果、低磁場に向けてスピン-格子緩和時間の減少が見られた。低温低磁場ではT1が2成分に分裂し、短い成分の寄与が量子臨界に向けて増大する挙動が見られた。

52% Si enriched high quality single crystal sample of YbRhSi is prepared. Spin-lattice relaxation time T1 has been measured in this sample. The quantum critical point appears at 0.66T for H//c and 0.06T for H//a, respectively. This time, T-dependence of T1 for H//c and H//a has been measured dwon to 40mK. The enhancement of 1/T1T is observed. In addition, 2 components of T1 are observed.