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Si(111)7$$times$$7表面再構成過程のストレス変位

Stress evolution during Si(111)7$$times$$7 surface reconstruction

朝岡 秀人  ; 魚住 雄輝

Asaoka, Hidehito; Uozumi, Yuki

表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程などのカイネティクスを変化させるため、表面ストレスの解明・制御がナノ構造創製のために有力な手段となる。反射高速電子回折法と基板たわみ測定による、表面構造とストレスの同時観測により、水素終端Si(111)1$$times$$1表面へのGe成長に伴う水素脱離過程と、Si(111)7$$times$$7表面への水素原子の吸着過程のストレスをその場測定した。これらの結果、水素終端Si(111)1$$times$$1表面が、引っ張りストレスを有するSi(111)7$$times$$7表面から1.6-1.7N/m(=J/m$$^{2}$$)、or 1.3-1.4eV/(1$$times$$1 unit cell)表面エネルギーを緩和した状態であることが明らかとなり、表面数原子層で構成される微小領域の表面再構成構造に内在するストレスを捉えることに成功した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

表面科学

巻

 :

37

号

 :

9

ページ数

 :

p.446 - 450

発行年月

 :

2016/09

発表会議名

 :

2015年真空・表面科学合同講演会; 第35回表面科学学術講演会/第56回真空に関する連合講演会

開催年月

 :

2015/12

開催都市

 :

つくば

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1380/jsssj.37.446

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

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