絶縁性強磁性体2層膜界面におけるねじれスピン構造

Twisted spin structure at the interface of bilayers having different magnetic anisotropy

Onoda, Hiroshige*; Hanashima, Takayasu*; Takeda, Masayasu; Yanagihara, Hideto*

低消費電力デバイスの開発に向け、電圧磁化反転方式の研究が盛んに行われている。電圧磁化反転方式を実現し得る候補の1つとして、電気磁気(ME)効果が挙げられる。我々は非線形ME効果が発現する新たな系として、磁気異方性主軸の異なる絶縁性強磁体2層膜におけるME効果について検討してきた。この構造では、一方の膜は垂直磁化膜で、もう一方の膜は形状磁気異方性が強く面内磁化膜となっている必要がある。そこで強磁性絶縁体の候補として、キュリー温度が室温より高く、多様な特性を示すスピネルフェライトから選択し、MgO基板上に垂直磁化膜として(Co,Fe) ${}_{3}$ O ${}_{4}$ (CFO)を20nm、その上に面内磁化膜として-Fe ${}_{2}$ O ${}_{3}$ (GFO)を30nm成膜し、磁気特性をVSM, 磁気トルク測定により評価した。本発表では、それらに加え電圧印加下におけるVSM測定と偏極中性子反射率測定を行った結果について報告する。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
開催年月	:	2019/09
開催都市	:	札幌
開催国	:	日本
キーワード	:	低消費電力デバイス; 電圧磁化反転方式; 非線形電気磁気効果; 偏極中性子反射率

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使用施設	:	J-PARC物質・生命科学実験施設
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	総合科学研究機構中性子科学研究センター; 筑波大学

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登録番号 : BB20190408
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