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Pyon, S.*; 土屋 雄司*; 井上 啓*; 小泉 徳潔; 梶谷 秀樹; 為ヶ井 強*
Physica C, 504, p.69 - 72, 2014/09
被引用回数:5 パーセンタイル:23.82(Physics, Applied)鉄系超伝導体は、高い上部臨界磁場と小さい異方性などの超伝導線材応用に関して有利な特性を有する。一方、超伝導粒同志の結合が弱い等の課題もある。そこで、600C、4時間の熱間等方加圧(HIP)法を用いて、結晶粒の結合を改善した。これにより、臨界電流密度を約6倍に増大させることに成功した。
為ヶ井 強*; Pyon, S.*; Ding, Q. P.*; 井上 啓*; 小林 啓紀*; 土屋 雄司*; Sun, Y.*; 梶谷 秀樹; 小泉 徳潔
Journal of Physics; Conference Series, 507(2), p.022041_1 - 022041_4, 2014/05
被引用回数:3 パーセンタイル:76.5(Engineering, Electrical & Electronic)鉄系超伝導体において、化合物の臨界電流密度(c)への影響を調査した。この中で、(Ba,K)FeAs,P2及びBa(Fe,Co)Asが、比較的高いJcを示すことが分かった。さらに、これらの線に、120MPa, 600Cの等方圧加熱接合(HIP)処理を施すことで、さらにcを向上でき、最大で32,000A/cm(4.2K)と、従来のcに比べて一桁以上高いJcを得ることができた。
Pyon, S.*; 田縁 俊光*; 大竹 史哲*; 土屋 雄司*; 井上 啓*; 秋山 弘樹*; 梶谷 秀樹; 小泉 徳潔; 岡安 悟; 為ヶ井 強*
Applied Physics Express, 6(12), p.123101_1 - 123101_4, 2013/12
被引用回数:21 パーセンタイル:64.7(Physics, Applied)単結晶(Ba,K)FeAs試料に320MeV Auイオン照射を行い、臨界電流密度が5Kの自己磁場で1.010A/cmまで上昇することを確かめた。この物質の潜在能力の高さから(Ba,K)FeAs超伝導線材をBi2223テープ材の工業生産で有用性が確立しているパウダーインチューブ法と高温静水圧法を組み合わせて作製した。この試料で臨界電流密度は4.2K自己磁場で37kA/cm、90kOeで3.0kA/cmに達した。磁気光学イメージ法でこの線材の粒間に大きなが流れることを確認した。
為ヶ井 強*; 田縁 俊光*; 柳生田 英徳*; 土屋 雄司*; Mohan, S.*; 谷口 智隆*; 仲島 康行*; 岡安 悟; 笹瀬 雅人*; 北村 尚*; et al.
Superconductor Science and Technology, 25(8), p.084008_1 - 084008_14, 2012/08
被引用回数:86 パーセンタイル:93.27(Physics, Applied)様々な高エネルギー粒子を鉄系超伝導体に照射し、臨界電流密度と磁束ダイナミクスへの影響を系統的に調べた。十分なエネルギー付与のできる粒子線照射ならば、銅酸化物高温超伝導体の場合と同様に、の増加や磁束ダイナミクスの抑制に効果があることがわかった。一般に、の増大は銅酸化物に比べて遙かに高い照射量まで持続する。照射効果の詳細はイオン種やエネルギーに依存するが、同種のイオンやエネルギーでもその効果は対象となる鉄系超伝導体ごとに異なる。重イオン照射によって作られる欠陥の相関性は不可逆磁化の角度依存性によって確かめられた。
為ヶ井 強*; 土屋 雄司*; 田縁 俊光*; 仲島 康行*; 岡安 悟; 笹瀬 雅人*
Physica C, 470(Suppl.1), p.S360 - S362, 2010/12
被引用回数:1 パーセンタイル:6.46(Physics, Applied)単結晶Ba(FeCo)Asへの重イオン照射効果を報告する。透過顕微鏡観察で円柱状欠陥が照射量の40%程度形成されることが確かめられた。磁気光学映像法およびバルク磁化測定から照射領域での臨界電流密度の大幅な増大が確認された。磁束クリープ緩和率は円柱状欠陥の導入で大きく制限される。Ba(FeCo)Asへの重イオン照射効果を銅酸化物超伝導体と比較する。
仲島 康行*; 土屋 雄司*; 田縁 俊光*; 柳生田 英徳*; 為ヶ井 強*; 岡安 悟; 笹瀬 雅人*; 北村 尚*; 村上 健*
Physica C, 470(20), p.1103 - 1105, 2010/11
被引用回数:3 パーセンタイル:17.12(Physics, Applied)異なる重イオン照射によってCoドープBaFeAs単結晶に導入される円柱状欠陥の形成について報告する。200MeV Auイオン照射で円柱状欠陥が照射量の約40%形成されることを透過顕微鏡観察で確認した。磁気光学映像法およびバルク磁化測定から、臨界電流密度は200MeV Auイオン照射と800MeV Xeイオン照射では増大するが200MeV Niイオン照射では変化しないことが明らかになった。また円柱状欠陥導入によって磁束クリープ速度が大きく抑制されることがわかった。これらの結果を銅酸化物超伝導体と比較した。
為ヶ井 強*; 田縁 俊光*; 土屋 雄司*; 仲島 康行*; 岡安 悟; 笹瀬 雅人*
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 23(5), p.605 - 608, 2010/07
被引用回数:0 パーセンタイル:0(Physics, Applied)高品質の単結晶Ba(FeCo)Asの超伝導特性を幅広いキャリアドープ範囲に渡って調べた。適正ドープ単結晶(Tc24K)の臨界電流密度は5テスラ10K以下で10A/cmを超える値を示し、フィッシュテール効果が現れた。結晶中には多くの不純物を含んでいるにもかかわらず、結晶中を均一の超伝導電流が流れていることが磁気光学イメージ法で明らかになった。重イオン照射試料では円柱状欠陥によるの増大を示し、低温では未照射試料の5倍にも達し、ゼロ磁場2Kで610A/cmの値を示した。重イオン照射試料ではJcの増大に伴って磁束クリープ緩和率が減少した。