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岩瀬 彰宏; 浜谷 祐多郎*; 椋本 佳範*; 石川 法人; 知見 康弘; 神原 正*; M
ller, C.*; Neumann, R.*; 小野 文久*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 209(1-4), p.323 - 328, 2003/08
被引用回数：20 パーセンタイル：77.2(Instruments & Instrumentation)鉄ニッケルインバー合金をGeV領域のZe,Uイオンで照射し、キューリー温度の変化を測定した。照射により、キューリー温度は上昇し、それは、イオンの電子的阻止能が増加するとともに増加した。この現象は、GeVイオン照射のもたらす電子励起によって結晶格子が膨張したか、あるいは、Niの局所濃度が増加したことで説明できる。
bulk samples and formation of columner defects on high-Tc supercoductor岡安 悟; 笹瀬 雅人; 北條 喜一; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 池田 博*; 吉崎 亮造*; 神原 正*; 佐藤 浩行*; 浜谷 祐多郎*; et al.
Physica C, 382(1), p.104 - 107, 2002/10
被引用回数：28 パーセンタイル：75.41(Physics, Applied)新超伝導物質MgBの超伝導特性を改善するために照射効果を調べた。電子線照射は焼結体試料の粒界結合を損なうため、超伝導特性は悪くなる。一方、高エネルギー重イオン照射は、臨界電流密度ならびに不可逆磁場を改善する。また、高温超伝導体における円柱状欠陥生成メカニズムについて熱スパイクモデルを改良したTime-dependent Line Sourceモデルを適用して解析した。その結果、高速イオンが電子系に与えるエネルギーSeのうち1/4~1/3の値しか円柱状欠陥生成に寄与していないことがわかった。
