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葛西 伸哉*; 平山 悠介*; 高橋 有紀子*; 三谷 誠司*; 宝野 和博*; 安立 裕人; 家田 淳一; 前川 禎通
Applied Physics Letters, 104(16), p.162410_1 - 162410_4, 2014/04
被引用回数：14 パーセンタイル：52.06(Physics, Applied)We study the non-local spin transport in Permalloy/Cu lateral spin valves (LSVs) fabricated on thermally oxidized Si and MgO substrates. While these LSVs show the same magnitude of spin signals, significant substrate dependence of the baseline resistance was observed. The baseline resistance shows much weaker dependence on the inter-electrode distance than that of the spin transport observed in the Cu wires. A simple analysis of voltage-current characteristics in the baseline resistance indicates the observed result can be explained by a combination of the Peltier and Seebeck effects at the injector and detector junctions, suggesting the usage of high thermal conductivity substrate (or under-layer) is effective to reduce the baseline resistance.
林 将光*; 家田 淳一; 山根 結太; 大江 純一郎*; 高橋 有紀子*; 三谷 誠司*; 前川 禎通
Physical Review Letters, 108(14), p.147202_1 - 147202_5, 2012/04
被引用回数：37 パーセンタイル：82.07(Physics, Multidisciplinary)磁壁移動に伴うスピン起電力を、パーマロイ細線における通常の誘導起電力を適切に差し引いた実時間電圧測定により直接検出する。磁壁の移動速度は印加磁場の大きさに対して非線形な振る舞いを示すが、出力電圧は磁場に対して線形となる。電圧信号の符号は、磁壁の運動方向に応じて反転することが示される。これらの振る舞いは、数値シミュレーションにより定量的に説明され、磁壁運動が周期的な磁化構造変化によって特徴付けられないような磁場領域にあったとしても、出力が外部磁場に対して線形に応答する様子が示される。
小西 智也*; 西脇 永敏*; 東條 孝志*; 石川 琢馬*; 寺岡 輝記*; 植田 有紀子*; 木原 義文*; 森時 秀司*; 遠野 竜翁*; 武藏 美緒*; et al.
Physica Status Solidi (C), 8(2), p.405 - 407, 2011/02
被引用回数：3 パーセンタイル：74.76(Engineering, Electrical & Electronic)Organopalladium species (Pd) immobilized on an Sterminated GaAs substrate (S/GaAs) effectively catalyzes C-C bond formation in the Mizoroki-Heck reaction with cycle durability. However, the immobilizing mechanism of Pd is unknown. In this study, we deposited Pd(OCOCH
)
on S/GaAs in two different methods, namely dry-physical vapor-deposition and wetchemical deposition, and compared the catalytic activities in the Mizoroki-Heck reaction. Also, S-termination and Pd-immobilization on GaAs grains were performed by the wet-chemical method to monitor the change in the surface chemical structure during the preparation process with diffuse reflectance Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). FT-IR measurements implied that the immobilization of catalytic active 
was related to the OH groups on the S-terminated surface. Pd-S/GaAs prepared dryphysically showed poor catalytic activity, because Pd was not immobilized under absence of OH groups.
杉本 聡志*; 荒木 康史; 高橋 有紀子*; 家田 淳一; 葛西 伸哉*
no journal, ,
重金属・強磁性体ヘテロ構造に生じるスピン軌道トルク(SOT)は、磁化の電流操作手法における基幹技術のひとつである。一方で、従来型SOTには面直方向の対称性の破れに起因する不動点(invariant point)が存在し、垂直磁化膜の磁化反転プロセスにおいて終状態を制御できない問題(nondeterministic switching)が指摘されてきた。このような幾何学的制約に対し、近年、WTe
や
-CuPt/CoPtといった低対称性界面を使用した、新規SOT制御手法が注目されている。本研究では、C3v点群対称性を示すトポロジカル絶縁体BiTe
薄膜界面に対し、楔形構造化等に起因するC1点群への対称性低下(symmetry reduction)を実現することで、強い異方性を示すSOTの生成に成功した。このような対称性を低下させる摂動下では、従来の直交方向への偏極成分(y-DL)に加え、面直成分(z-DL, z-FL)と平行成分(x-DL)へのSOT生成が新たに導出された。この異方的SOTを採用し、磁気共鳴状態における特異な非相反性と、電流誘起磁化反転における極性依存性が実験的にも観測された。
