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G.Wu*; 勝村 庸介*; 工藤 久明; 森田 洋右; 瀬口 忠男
J. Polym. Sci., Part A, 37(10), p.1541 - 1548, 1999/00
高密度ポリエチレンと低密度ポリエチレンを、真空中において、室温~220C、室温~360Cの間で線照射し、架橋とガス発生の温度依存性を調べた。300Cまでは、架橋が優先し、ゲル化線量は高温になるにつれて低下した。架橋の確率の増加は、2重結合へのラジカルの付加が促進するためと考えられた。300Cを越えると、同一線量でゲル分率を比較すると、温度とともにゲル分率は低下し、360Cではゼロになった。分子量分布測定の結果、切断が促進されていることが示された。ガス発生の主成分は水素で、水素発生のG値は温度とともに大きくなり、発生量は線量に対して飽和する傾向にあった。C~C炭化水素の組成は、側鎖の構造に依存し、高温にすると不飽和炭化水素の生成が増大した。