Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
小池 雅人; 今園 孝志; 石野 雅彦; 長野 哲也*; 笹井 浩行*; 大上 裕紀*; 倉本 智史*; 寺内 正己*; 高橋 秀之*; 能登谷 智史*; et al.
no journal, ,
リチウムイオンが充・放電に伴い正・負極材に出入りした際の化学結合状態に関する情報は、K殻電子が励起された際、価電子帯電子の緩和過程で放出される22.8nm(54.3eV)のLi-K発光近傍を分光計測することで得ることができる。本研究では、放射光ビームラインや電子顕微鏡に搭載可能な回折格子分光器において、高感度Li-K発光スペクトル計測を実現するために、標準的な表面物質であるAu膜が積層された回折格子の上に通常の炭素(C)膜(密度: 2.2g/cm
)、または、フィルタードアーク法で積層できる高密度ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜(Tetrahedral amorphous carbon、密度: 3.1g/cm)を付加し、回折効率の向上を目指した多層膜回折格子の設計を行った。
3.5keV領域を一定入射角でカバーする広帯域Ni/C多層膜回折格子分光器の開発今園 孝志; 小池 雅人; 倉本 智史*; 長野 哲也*
no journal, ,
CIS化合物系薄膜太陽電池における光吸収層の主成分Cu, In, SeのL発光線(Cu: 0.9keV, In: 3.4keV, Se: 1.4keV)を同時に高分解計測するための平面結像型軟X線回折格子分光器を設計した。従来のエネルギー分散型X線分光器(EDS)や波長分散型分光器(WDS)では、機械的駆動機構無しに、すなわち、分光素子の入射角一定の条件下で、当該領域をカバーし、高分解能計測することは困難である。この問題を解決するため、本研究では非周期Ni/C多層膜をラミナー型不等間隔溝ホログラフィック回折格子に積層した広帯域多層膜回折格子を考案した。
馬場 祐治; 下山 巖; 平尾 法恵; 和泉 寿範
no journal, ,
土壌や粘土鉱物中における放射性セシウム原子の結合状態を明らかにするため、これらの物質の主要構成成分である石英およびアルミナ(サファイア)表面に吸着したセシウムについて、放射光を用いたX線光電子分光測定を行った。放射性セシウムの原子数は極めて少ないため、X線光電子分光測定の感度を上げる目的で、X線の全反射条件で測定を行った。溶液法でセシウムを吸着させた石英を水で超音波洗浄すると、セシウムの吸着量は減少するが、わずかにセシウムの光電子ピークが認められた。このピーク強度から、表面に残ったセシウムの量を見積もると、約200ピコグラムであった。これは
Csに換算すると約400ベクレルに相当する。このことからX線の全反射現象を利用したX線光電子分光法により、放射性セシウムの量に相当する極微量のセシウムの結合状態解析が初めて可能となった。セシウム3d光電子ピークのエネルギーを詳細に解析した結果、吸着量が多い時はセシウムは弱いファン・デア・ワールス結合で吸着するが、極微量になると共有結合性が強い結合状態へと変化することが明らかとなった。
石井 賢司; 藤田 全基*; 佐々木 隆了*; Minola, M.*; Dellea, G.*; Mazzoli, C.*; Kummer, K.*; Ghiringhelli, G.*; Braicovich, L.*; 遠山 貴巳*; et al.
no journal, ,
本講演では、RIXSを用いた電子ドープ型銅酸化物超伝導体Nd
Ce
CuO
の磁気・電荷励起の研究結果について報告する。銅の
吸収端RIXSで観測されたおよそ100meV以上の高エネルギー磁気励起は、電子ドープが進むにつれて幅を広げながら高エネルギーにシフトすることが明らかになった。このような変化は、ドーピングをしてもほとんど分散が変わらず、母物質の局在スピンの特徴を残したホールドープ型の結果とは対照的である。さらに、電子ドープした試料の吸収端RIXSでは、
点の近くで磁気励起よりも高エネルギー側に励起が観測された。その運動量依存性は、
吸収端で観測されている電荷励起(上部ハバードでのバンド内励起)の分散に滑らかにつながっていることから、同じ起源の電荷励起と考えられ、吸収端では観測が難しかった点近くの電荷励起の特徴も明らかにすることができた。
岡本 芳浩; 渡部 創; 永井 崇之; 北脇 慎一; 柴田 淳広; 野村 和則; 塩飽 秀啓
no journal, ,
福島第一原子力発電所事故で発生した大量の汚染水処理で発生する2次廃棄物の正常を把握するために、模擬試料のイメージングXAFS分析を実施した。対象としたのは、ストロンチウムを捕獲するためのチタン酸吸着材などである。試験では、放射線照射環境による影響を調べるため、
線および電子線照射も実施した。吸着対象であるSrと吸着材の骨格元素であるCsのイメージングXAFSを同画面について実施することで、両元素の分布の違いや化学的な相関関係を調べた。
の電子状態小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 大貫 惇睦; 藤森 伸一
no journal, ,
反強磁性ウラン化合物UGaに対して軟X線ARPES (SX-ARPES)を行って、バンド構造とフェルミ面の導出を行った結果について報告する。UGaはTN=67Kの反強磁性体であるが、電子状態については研究例が少ないためほとんど明らかになっていない状況にある。実験の結果、フェルミ準位近傍にはU 5f電子に起因した狭いバンドが観測され、さらにR点周りに大きなホールフェルミ面を形成していることが明らかとなった。講演ではバンド計算との比較も示し、この化合物の電子状態について議論する。
高橋 正光; 佐々木 拓生
no journal, ,
金などの金属液滴が触媒となり、基板に垂直な方向に細線状の半導体結晶が成長する現象は既に半世紀前から知られている。この方法で成長させた直径が100nm以下のいわゆる量子細線が、量子効果デバイスや縦型電界効果トランジスタなどへの応用可能性から、近年、注目を集めている。量子細線成長において興味深い現象のひとつは、バルク結晶では閃亜鉛鉱構造(3C)が最安定であるGaAsが、量子細線の状態では、ウルツ鉱構造(2H)をはじめ、4H, 6Hなどからなる構造多形を示すことである。このような構造多形の形成メカニズムを明らかにすることは、量子細線の応用上重要である。本研究では、成長条件を変化させた場合の量子細線の構造多形をX線回折法により評価する実験を行なった。
横谷 明徳
no journal, ,
放射線を照射された生体中には、ゲノム中の遺伝子分子(DNA)に化学的な構造変化(損傷)が高い頻度で生じる。一方、これらのDNA損傷を効率よく酵素的に除去し元に戻す仕組み(修復機構)を細胞は備えている。しかし修復がうまく働かない場合には、突然変異など重大な影響が現れる。フクシマにおける低線量放射線影響がここまで大きな問題になっている理由のひとつは、DNA損傷とその後の生体修復について未だ解明が遅れていることに起因する。われわれはこれまで、軟X線をプローブとして利用しDNA損傷生成の初期過程の解明を目指した研究を行ってきた。特に元素選択的なイオン化により生起するDNA損傷がどのような違いをもたらすのかについて、電子常磁性共鳴法や質量分析法による生成物分析から追跡するとともに、実際の生体修復酵素と照射DNAの反応を調べている。本講演では、これらの研究成果を通して得た知見を元に、内殻イオン化後の多価イオン原子及び後続のAuger過程により生じた低速電子がDNA損傷をどのように誘発するかについて考察するとともに、ゲノムDNA分子上の数nm程度に複数の損傷が分布する"クラスターDNA損傷"と難修復性との関連について述べる。