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工藤 久明; 笠井 昇; 貴家 恒男; 瀬口 忠男
Radiation Physics and Chemistry, 48(3), p.695 - 696, 1996/00
被引用回数:2 パーセンタイル:24.71(Chemistry, Physical)ガラス繊維強化樹脂(GFRP)及び炭素繊維強化樹脂(CFRP)に77K及び室温でガンマ線照射し、発生ガスを分析した。GFRP、CFRPとも、77Kと室温で水素の発生量は変わらず、COとCOの発生量が低温で非常に小さくなっていた。GFRPとCFRPで比較すると、室温照射ではCFRPの方がガス発生が少なく、繊維による保護効果がみられた。しかし77K照射では、保護効果はあまりみられなかった。
岡田 漱平; 吉川 正人; 伊藤 政幸; 日馬 康雄; 八木 敏明; 吉田 健三
EIM-82-109, p.9 - 18, 1982/00
種々のLOCA模擬環境にケーブル及びEPRのシートを曝し、絶縁抵抗の変化を測定した結果をまとめ、あわせて誘電特性測定の結果からLOCA環境によるEPRの絶縁低下の主たる原因は何かということについて考察を加えた。この結果明らかになったことは以下の通りである。(1)空気を含まないPWR LOCA模擬同時法においては、約1Mrad/hの高線量率下で行ったものと、0.17Mrad/hの低線量率下で行ったものとでは、絶縁抵抗の変化に有意な差は生じなかった。(2)ケーブルの絶縁低下はシートのそれよりも小さく、シースによる保護効果が認められ、空気を含む環境に曝した場合、特に著しい。(3)空気を含まない場合同時法における絶縁低下が大きく、低周波領域での"の顕著な増大が認められ、これは吸水と関係がある。空気のある場合は同時・逐次・逆逐次法いずれも空気のない場合に比べ低下が大きい。
徳永 興公; 阿部 俊彦
日本化学会誌, 1975(2), p.228 - 233, 1975/02
3種類のフェニル・メチル・トリシロキサンの-線照射を行ない、発生する気体の収率、分子量の変化、酸素の影響、液体クロマトグラムの測定を行なった。水素とメタンの収率は、フェニル基含有率が高くなるとともに減少した。また、ベンゼンの収率は、フェニル基合有率が高くなるにつれて増加した。特に、フェニル基合有率が最も高いトリシロキサン(F-6)におけるベンゼンの収率は、他の2種類の場合に比べ非常に高い値を示した。この現象は、中央の珪素原子に2個のフェニル基が結合した場合、立体障害により、フェニルラジカルとトリシロキサンラジカルとの再結合反応が妨げられるために起こるものと考えられる。照射により、トリシロキサンの分子量は増加し、酸素によって、高分子量物質は減少し、重合は抑制された。このことは、重合過程にラジカル反応が関与していることを示している。