Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
工藤 久明; 笠井 昇; 貴家 恒男; 瀬口 忠男
Irradiation of Polymers; Fundamentals and Technological Applications (ACS Symp. Series 620), 0, p.313 - 322, 1996/00
核融合炉用超電導磁石の有機絶縁材料として用いられる繊維強化樹脂のガンマ線照射に対する耐放射線性の照射温度依存性を調べた。77K照射では、室温照射に比べて、3点曲げ試験による曲げ強度の低下が著しく少なく、曲げ強度を初期の1/2にする線量は室温照射の25倍であった。照射による分解ガスを分析すると、水素の発生量は余り変わらなかったが、CO、CO、メタンの発生量が77Kでは著しく少なくなっていた。水素原子の引き抜き反応はC-H結合が77Kでも動けるために照射温度依存性が小さく、CO、COが放出される反応は主鎖や側鎖の分子運動が77Kでは抑制されるために照射温度依存性があると解釈された。
工藤 久明; 笠井 昇; 貴家 恒男; 瀬口 忠男
Radiation Physics and Chemistry, 48(1), p.95 - 100, 1996/00
被引用回数:18 パーセンタイル:80.23(Chemistry, Physical)ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ガラス繊維強化樹脂(GFRP)に77K及び室温でガンマ線照射し、発生ガス分析、分子量測定、ガラス転移温度測定などを行い照射効果の温度依存性を調べるとともに、力学特性が示した温度依存性との対応を調べた。分子量の低下、ガラス転移温度の低下は、77K照射では室温照射に比べ著しく小さくなっており、曲げ強度の温度依存性とよく対応した。ガス発生では、COとCOの発生量が低温で小さくなっていた。低温では分子運動性が小さいためにCOやCOの発生に伴う高分子の切断が少なくなっていると考えられた。
貴家 恒男; 宇田川 昂; 瀬口 忠男
DEI-91-135, p.49 - 57, 1991/12
モノマー状態では低粘性でありながら、硬化物は200C以上の耐熱性を有する4官能性エポキシ樹脂の電子線照射効果を分子運動性変化に基づいて検討した。グリシジル基を結びつけている基がベンゼンであるTETRAD-XおよびそれがシクロヘキサンであるTETRAD-Cをジアミノジフェニルメタン(DDM)およびメチルナジック酸(NMA)で硬化した樹脂、また第3成分としてテトラグリシジルジアミノジフェニルメタン(TGDDM)、bis-フェノール系エポキシ(E828)、BTレジンを混合し硬化した系についても検討した。DDMで硬化したTETRAD-XおよびTETRAD-Cは30MGyまで良好な耐放射線性を示したが硬化剤をNMAとした場合には15MGyで劣化した。また、TGDDM、TETRAD-X、E828を混合して硬化した樹脂はガラス転移温度が高く(250C)、30MGyまでの耐放射線性を示したが、BT-レジンとの混合硬化物は良好な特性を示さなかった。
貴家 恒男; 宇田川 昂
Polymer, 32(3), p.402 - 408, 1991/00
被引用回数:38 パーセンタイル:82.69(Polymer Science)ジアミノジフェニルメタン(DDM)で硬化したビィスフェノールA系(DGDBA/DDM)、ビィスフェノールF系(DGEBF/DDM)、テトラグリシジル系(TGDDM/DDM)エポキシ樹脂ならびにジアミノジフェニルスルホン(DDS)で硬化したTGDDM/DDSをマトリックスとした炭素繊維強化材料(CFRP)の分子運動性に及ぼす電子線照射効果を検討した。すべてのエポキシ樹脂に、50~100Cの温度範囲で力学損失ピーク(分散)か認められた。ガラス転移温度以上の熱処理の結果から、この分散は架橋点により運動を制限された分子鎖の運動に帰属され、硬化時に内部歪みが生じていることが分かった。また、四官能性のTGDDM/DDM・DDS樹脂の内部歪みは二官能性DGEBA/DDM、DGEBF/DDMにくらべて大きいことが明らかとなった。照射による損傷は主鎖切断が主であり、放射線に対する安定性の序列としてTGDDMDGEBFDGEBAが得られた。
貴家 恒男
Polymer, 32(9), p.1539 - 1544, 1991/00
被引用回数:16 パーセンタイル:62.81(Polymer Science)UPILEX-BOARD(PI-I)、LARC-TPI(PI-II)、LARC-TPI1500(PI-III)、new-TPI(PI-IV)の4種類の全芳香族ポリイミドについて、電子線照射による機械的特性、分子運動性および結晶化挙動の変化を検討した。結果は次のようにまとめられる。(1)これらのポリイミドは100MGy以上の耐放射線性を有する。(2)PI-IおよびPI-IIは架橋構造を有しているが、PI-IIIは完全な熱可塑性ポリイミドである。(3)PI-I、PI-II、PI-IIIでは照射によりガラス転移温の上昇、ゴム平坦領域の剛性率の上昇が起こる。(4)照射によりPI-IVの結晶化が阻害される。これらの結果から、実験に使用したポリイミドは耐放射線性が高く、非酸化系の照射では、架橋するポリマーであることが明らかとなった。
貴家 恒男
高性能芳香族系高分子材料; 先端高分子材料シリーズ,2, p.92 - 117, 1990/03
全芳香族系高性能ポリマーの耐放射線性について文献調査した結果、および原研で進められている分子構造と耐放射線性との関係から得られた芳香族ユニットの放射に対する安定の序列、損傷機構などを総合的に考察して高耐放射線性全芳香族ポリマーの分子設計の可能性について記述した。
貴家 恒男
EIM-89-115, p.11 - 19, 1989/12
熱硬化性の全芳香族ポリイミドUPILEX、熱可塑性のLARC-TPI、LARC-TPI1500およびnew-TPIの電子線照射効果を分子運動性、熱的測定の面から検討した。UPILEXは三次元構造をすでに有しており、照射によりさらに架橋することが明らかとなった。LARC-TPIは熱可塑性と言っても、三次元的構造を有していた。このポリイミドも照射により架橋した。LARC-TPI1500は完全な熱可塑性ポリイミドであり、これも照射により架橋した。new-TPIは250C以上の温度で結晶し、330Cで最大結晶化速度となるが、照射により結晶化が阻害されることが熱測定から明らかとなり、架橋するポリマーであることが分った。
早川 直宏; 武居 正和*; 栗山 将
Reports on Progress in Polymer Physics in Japan, 19, p.479 - 482, 1976/00
直鎖ポリエチレン(PE)を真空中あるいは空気中でCo -線を照射し、粘弾性測定装置および広巾NMRを用いて照射による分子運動性の変化を検討した。 分子運動性の変化の様子は照射の雰囲気により異なる。真空中照射の場合は非晶域の分子鎖の運動が押えられており、この領域で分子鎖間の架橋が起っていることを示している。一方空気中で照射した場合には、非晶域の分子鎖の運動は容易に起るようになり、分子鎖の切断が生じていることを示している。
幕内 恵三; 浅野 雅春; 早川 直宏; 瀬口 忠男; 荒木 邦夫
日本化学会誌, 1975(11), p.1990 - 1994, 1975/11
PVdFの放射線橋かけに対する照射温度および照射後の熱処理の影響を検討し,分子鎖セグメントの運動性との関連を考察した。ポリエチレン,PVCなどにおいてはガラス転移によって橋かけ挙動が変化することが知られているが,PVdFでは,ガラス転移以外においても変化することが明らかとなった。すなわち,Tgよりも90C高温における50CでG(C)とG(S)の活性化エネルギーが変化し,50C以上の高温では橋かけと主鎖切断が抑制された。また,照射後の熱処理効果も著しく,高温ほどゲルが増加した。広幅NMRからの知見によると,50Cは分子鎖セグメントのミクロブラウン運動が活発になる温度であった。ミクロブラウン運動によって,主鎖切断方ラジカルと側鎖切断ラジカルとの末端結合が容易になり,橋かけと主鎖切断が抑制されると考察した。