RBS/channeling analysis of damage and annealing processes of Nb-implanted TiO

青木 康; 山本 春也; 竹下 英文; 楢本 洋

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 136-138, p.400 - 403, 1998/00

https://doi.org/10.1016/S0168-583X(97)00859-8

二酸化チタンにニオブをドープすることにより、二酸化チタンの電気特性(半導体特性)を制御することが可能であると考えられている。本研究ではニオブのドープ法としてイオン注入法を用い、室温・低温注入を施した後、大気中で焼鈍を行った。ニオブ注入中及び焼鈍過程における二酸化チタン表面注入層の微視的構造をRBS/チャンネリング法を用いて解析し、注入後ある程度結晶性を維持している場合は1段階の焼鈍過程(500C)で結晶が回復し、アモルファス状態からの回復では3段階の焼鈍過程が存在することを明らかにした。結晶が回復した後の状態ではニオブ原子は、Ti格子位置に置換し、二酸化チタン表面層に均一に分布することが分かった。さらに置換したニオブは二酸化チタン中でNbO-TiO型の固溶体を形成していることを明らかにした。