1998年度

J.Appl.Phys.

26543
Structural characterization of BaTiO₃ thin films grown by molecular beam epitaxy
米田安宏*・岡部達*・阪上潔*・寺内暉*・笠谷祐史*・出口潔*
J. Appl. Phys. 83（5）, p.2458-2461（1998）;（JAERI-J 15556）

　ペロフスカイト型の強誘電体であるチタン酸バリウムは分子線エピタキシー法を用いた交互蒸着によって良質の薄膜が得られる．薄膜化したチタン酸バリウムはエピタキシャル効果によってバルクとは異なった構造をもつと考えられるが，それをX線回折を用いて明らかにした．薄膜のX線回折は，成長後に室温・大気中で行った．得られたプロファイルから格子定数が求まったが，膜厚が薄ければ薄いほど基板効果は大きく格子は大きく歪んでいた．この歪みはバルクの体積を保持するもので，面内の格子定数が大きく基板効果によって押し縮められた薄膜は成長方向に大きく伸びていた．基板上に50層（約200Å）積層させるとほぼバルクと同じ格子定数となるが，面内の反射のロッキングカーブは依然としてブロードニングを起こしており，基板からの歪みは解消されていない．このようなエピタキシャル効果は誘電体でしかみられない現象である．