1998年度

Jpn.J.Appl.Phys.,Part 2

27234
Observation of isotope shift in autoionization levels of uranium atom
小倉浩一・柴田猛順
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37（11B）, p.L1403-L1405（1998）;（JAERI-J 16181）

　ウラン235を高い選択率でイオン化できる二波長二段階共鳴イオン化スキームを見出した．このイオン化スキームの自動電離準位は大きな同位体シフト，0.5/cm^-1，を持つと同時にスペクトル幅が0.08cm^-1と非常に狭い．ウラン235のイオン化の高い選択性は中間準位の同位体シフトだけではなく，自動電離準位の大きな同位体シフトと狭い線幅によるものであることがわかった．また，そのスキームの中間準位，23197cm^-1，の寿命は，遅延法により215nsと求まった．

26792
Generation of interface traps and oxide-trapped charge in 6H-SiC metal-oxide-semiconductor transistors by γ-ray irradiation
大島武・吉川正人・伊藤久義・青木康・梨山勇
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37（8B）, p.L1002-L1004（1998）;（JAERI-J 15762）

　高温（1200℃）でチッ素注入することで作製した，6H-SiCのnチャンネルエンハンスト型金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）へ，γ線を照射し，ゲート酸化膜中に発生する界面準位と固定電荷を見積った．γ線は室温で1MR/hで行い，ザブスレッシュホールド領域でのドレイン電流のゲート電圧依存性の変化より，界面準位及び固定電荷を見積った．その結果，70kGy照射後に発生した，界面準位は5×10¹¹/cm²，固定電荷は3×10¹²/cm²であった．この値はSiでのMOSFETで報告されている値にくらべ，界面準位では数十分の一，固定電荷では3分の1程度であり，SiC MOSFETが優れた耐放射線性を示すことが明らかになった．