1998年度

Appl.Opt.

26447
Direct bonding of Ti:sapphire laser crystals
杉山僚・福山裕康*・貴家恒男・有澤孝・宅間宏*
Appl. Opt. 37（12）, p.2407-2410（1998）;（JAERI-J 15472）

　極短パルス超高出力レーザーシステムには，大型・高品質のチタンサファイア結晶が必要不可欠である．この大型結晶を作成する方法として，我々は今回独自の直接接合法を開発した．接合面を化学処理によって活性化した後に熱処理を施すことで接着剤を用いない直接接合が可能となった．接合した結晶と通常の結晶で得られるレーザー発振特性を測定したところ，両者に差は生じなかった．この結果，大型化の方法としての可能性を示すことができた．