1998年度

IONICS

26734
イオン注入を用いたSiC半導体の電気特性制御
伊藤久義・大島武・吉川正人・梨山勇・T. Troffer*・G. Pensl*
IONICS 24, p.45-52（1998）;（JAERI-J 15719）

　イオン注入を利用した炭化珪素（SiC）半導体の電気伝導制御技術の開発を目的に，六方晶SiC単結晶にドナー不純物としてリン（P），アクセプター不純物としてアルミニウム（Al），ホウ素（B）のイオン注入を実施し，注入層の電気特性の評価を行った．注入P原子の電気的活性化に対する注入温度依存性を注入P濃度を変化させて調べた結果，低抵抗層形成に要する高濃度ドーピングには高温注入が有効であることを見出した．またAlまたはBに加えてCまたはSiの共注入を行い，電気特性変化を調べた結果，C共注入によりP型電気特性を改善できることが明らかになった．さらに，高温窒素（N）イオン注入を用いてnチャンネルエンハンスメント型MOSFET（金属・酸化膜・半導体電界効果トランジスタ）を試作した．