1998年度

Proc.of 3rd Int.Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application

261060
The Present status of irradiation facilities at JAERI-Takasaki
西堂雅博・福田光宏・荒川和夫・田島訓・須永博美・四本圭一・田中隆一
Proc. of 3rd Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.183-188（1998）;（JAERI-J 15980）

　高崎研は，γ線，電子線，イオンビーム等の幅広い照射が系統的に実施できる各種の照射施設を備えた特徴ある研究所である．これらの照射施設は，各種の研究に利用されてきたが，とりわけ，宇宙用半導体デバイスの放射線耐性試験及び開発研究に，高崎研の各種照射施設が有効に利用されてきた．本論文では，高崎研の各種照射施設の現状と，さらに有効かつ効率的な各種照射施設利用のために予定されている将来計画，例えば，γ線照射施設の改造計画，TIARA施設の高度化計画等，について述べる．

261058
SEU testing using cocktail ion beams
根本規生*・新藤浩之*・松崎一浩*・久保山智司*・大島武・伊藤久義・梨山勇・松田純夫*
Proc. of 3rd Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.154-159（1998）;（JAERI-J 15978）

　地上用1MビットSRAM，4MビットSRAM，16MビットDRAM及び64MビットDRAMのシングルイベントアップセット試験をカクテルビームを用いて行った．カクテルビームは4.0〜60.6MeV/mg/cm²のLETでの照射が可能であり，今回はこのビームを用いて，しきい値LETと飽和反転断面積を見積もった．その結果，これらの集積回路は作製プロセスによってSEUしきい値と反転断面積が大きく異なることが明らかになった．

261059
Irradiation resistance of recent terrestrial solar cells
油谷崇志*・久松正*・松田純夫*・大島武・梨山勇
Proc. of 3rd Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.63-68（1998）;（JAERI-J 15979）

　地上用の太陽電池の耐放射線性を宇宙で試験するための，MDS-1計画の地上試験として，ポリシリコン，GaAs/InGaP，CuInSe，n-type基板Si太陽電池（いずれも地上用として設計）の耐放射線性を調べた．照射は1MeVの電子線，3MeV及び10MeVの陽子線を用いた．ポリシリコンとn-type Si太陽電池は基板の不純物濃度に依存して若干耐放射線性が異るが，いずれもほぼ同程度の劣化であった．GaAs/InGaP太陽電池は宇宙用GaAsに比べ短絡電流の劣化が大きいことがわかった．CuInSeは1×10¹⁷ e/cm²照射しても特性は劣化せず，優れた耐放射線性を示すことがわかった．

261062
Characterization of defects in silicon carbide irradiated with high energy particles
伊藤久義・D. Cha*・磯谷順一*・河裾厚男・大島武・岡田漱平・梨山勇
Proc. of 3rd Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for space Application, p.28-33（1998）;（JAERI-J 15982）

　電子線や原子炉中性子を照射した六方晶炭化珪素（6H-SiC）半導体単結晶における欠陥の構造とアニール挙動を電子スピン共鳴（ESR）法を用いて調べた．照射n型6H-SiCにおいては，照射欠陥に起因する3種類のESR信号（NA，NB，NC）を見い出した．一方，照射p型6H-SiCでは，2種類のESR信号（PA，PB）が検出された．解析の結果，NA及びPA信号は同一の欠陥（Si単一空孔）に起因することがわかった．NB，NC信号は，電子スピン2個の微細相互作用により説明でき，各々Si空孔-格子間原子対，二重空孔に起因すると推測される．PB信号については，²⁹Si核スピンとの超微細相互作用による構造が観測された．角度依存性等の解析の結果より，PB中心はC単一空孔であると結論できる．また，等時アニールの結果，NB，NC中心は各々約800℃，約200℃，PB中心は約150℃で消失することがわかった．

261061
Influence of γ-ray irradiation on 6H-SiC MOSFETs
大島武・吉川正人・伊藤久義・梨山勇・岡田漱平
Proc. of 3rd Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application, p.22-27（1998）;（JAERI-J 15981）

　6H-SiC基板上へエンハンスメント型のn-チャンネルMOSFETを作製し，そのMOSFETのγ線照射効果を調べた．MOSFETは，そのゲート酸化膜をドライ酸素による酸化と水素燃焼酸化により作製し，効果の違いを調べた．その結果，酸化膜中の固定電荷，界面準位ともに，以前報告されているSiのMOSFETに比べ発生量が少ないことがわかった．酸化方法の違いによる効果は，固定電荷については，いずれの酸化方法でもほとんど違いは見られなかったが，界面準位に関しては，水素燃焼酸化を用いた方が，ドライ酸化よりも発生量が少なく，耐放射線性に優れていることが明らかになった．