2002年度

Journal of Vacuum Science and Technology A

300879
Vacuum system design for the 3 GeV-proron synchrotron of JAERI-KEK joint project
金正倫計 ; 西澤代治* ; 齊藤芳男* ; 鈴木寛光* ; 横溝英明
Journal of Vacuum Science and Technology A 20(3), p.829-832(2002) ; (JAERI-J 19345)

　大強度陽子加速器研究計画用3GeVシンクロトロンの真空システム設計について報告を行う．

300533
Photon-stimulated ion desorption from mono- and multilayered silicon alkoxide on silicon by core-level excitation
馬場祐治 ; Wu, G.* ; 関口哲弘 ; 下山巖*
Journal of Vacuum Science and Technology A 19(4), p.1485-1489(2001) ; (JAERI-J 19064)

　シリコン単結晶表面に吸着したテトラクロロシランにSi 1s領域の放射光を照射した時の分子の分解，イオン脱離機構を調べた．吸着分子自身の励起による効果とシリコン基板の励起による二次的効果とを区別するため，吸着層の数を正確に制御した系について検討した．単相吸着系では，脱離イオンのほとんどがCH₃⁺イオンであり，その脱離強度は吸着分子のSi 1s→σ*共鳴励起で最大となるが，シリコン基板の励起では脱離は認められない．一方，二次電子のほとんどはシリコン基板から発生することから，CH₃⁺の脱離に寄与するのはオージェ電子，散乱電子などによる二次的効果ではなく，吸着分子自身の直接的な内殻共鳴励起効果によることが明らかとなった．