2002年度

信学技報

310082
単結晶CuInSe₂薄膜の電子線照射欠陥の評価
藤田尚樹* ; Lee, H.* ; 岡田浩* ; 若原昭浩* ; 吉田明* ; 大島武 ; 伊藤久義
信学技報 1021(77), p.79-84(2002) ; (JAERI-J 19746)

　CuInSe₂の耐放射線性の知見を得るため，電子線による照射損傷効果を調べた．高周波スパッタ法を用いてGaAs基板上に作製した単結晶CuInSe₂薄膜へ，室温で2MeV及び3MeV電子線を照射した．Hall測定よりキャリア濃度を調べたところ，1×10¹⁷/cm²以上の照射によりキャリア濃度が減少することが明らかになり，キャリア減少率を見積もったところ1cm^-1であった．またDLTS法により欠陥準位に関して調べたところ，照射後に未照射では観測されない深い準位が発生することがわかった．