2002年度

Proceedings of 3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01)

301176
Influence of O₂ incident energy for initial sticking probability and product SiO desorption rate on Si(001) surfaces
寺岡有殿 ; 吉越章隆
Proceedings of 3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01), p.341-344(2001) ; (JAERI-J 19600)

　Si(001)表面とO₂分子の表面反応においては，室温でO₂分子の解離吸着が起こり表面が酸化される（パッシブ酸化）．一方，表面温度がおおむね700℃以上では酸化反応生成物としてSiO分子が熱脱離して表面に酸素は残らない．今回はO₂分子の初期吸着確率の入射エネルギー依存性とSiO脱離速度の入射エネルギー及び表面温度依存性を測定した．前者は酸素カバレッジのup-take曲線の一次微分から求めた．後者の実験には同位体¹⁸O₂を用いてSi¹⁸O（m/e=46）を検出することによりCO₂バックグラウンドの影響のない高精度の測定ができた．これらにより初期吸着確率が0.3eVに極小点を持つことやSiO生成温度の下限が入射エネルギーに依存するなどの新しい知見を得た．初期吸着には前駆体経由過程と直接解離過程があることが見いだされた．

310288
SPM investigation of C₆₀ thin films irradiated with energetic ions
鳴海一雅 ; 楢本洋
Proceedings of 3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01), p.322-325(2001) ; (JAERI-J 19918)

　Si(111)上のC₆₀ 薄膜に対して，360 keV ⁴⁰Ar⁺，⁴⁰Ar⁴⁺イオンを1.0×10¹²/cm²から1.1×10¹⁶/cm²照射した際の照射効果を調べた．照射前の薄膜は絶縁性を示したが，1.1×10¹⁴/cm²の照射量で電気伝導性を示すようになった．ラマン分光分析によるとこの時の薄膜はほとんど非晶質炭素になっており，この電気伝導性は，C₆₀分子の分解によって生じた伝導性を持った炭素同位体によって生じたことを明らかにした．1.1×10¹⁵/cm²以上の照射量では，ラマンスペクトル中のC₆₀分子の特徴は完全に消失し，薄膜の表面形態に著しい変化が観測された．この形態の変化はArイオンによるスパッタリングとC₆₀分子の分解による高密度化によるものと考えられる．