2003年度

Key Engineering Materials: Advanced Ceramics and Composites

310943
Development of silicon carbide micro-tube from precursor polymer by radiation oxidation
杉本雅樹 ; 出崎亮* ; 田中茂 ; 岡村清人*
Key Engineering Materials: Advanced Ceramics and Composites 247, p.133-136(2003) ; (JAERI-J 20426)

　SiC繊維の前駆体高分子であるポリカルボシラン繊維を電子線により表層のみ酸化架橋し，未架橋の内部を溶出した後セラミック化することでSiCチューブを合成可能である．ポリカルボシランの放射線酸化機構を元に繊維中空化のメカニズムについて考察した．

310942
Radiation curing of polyvinylsilane as a precursor for SiC-based material
出崎亮* ; 杉本雅樹 ; 田中茂 ; 成澤雅紀* ; 岡村清人* ; 伊藤正義*
Key Engineering Materials: Advanced Ceramics and Composites 247, p.129-132(2003) ; (JAERI-J 20425)

　ポリビニルシラン(PVS)は室温で液体のケイ素系ポリマーであり，微小・複雑形状のSiC成型体のプレカーサーとして応用が期待されている．SiC成型体の合成において，焼成中に形状を維持するためにポリマーを架橋させる必要がある．われわれはPVSの架橋に放射線照射を用いた．ところが，室温で電子線を照射すると，PVSが発泡してしまう問題があった．本報では，γ線照射によるPVSの架橋を試み，PVSの発泡を抑制するための条件を見出すため，照射温度の影響について調べた．そして，液体窒素温度(77K)でも室温でもγ線照射によって発泡のない状態でPVSが架橋されることを明らかにした．また，ゲル分率測定，TGAの結果から，室温での照射の方が77Kよりも効率的にPVSが架橋されることを明らかにした．