2003年度

Journal of Crystal Growth

310530
Time-resolved X-ray diffraction study on surface structure and morphology during molecular beam epitaxy growth
高橋正光 ; 米田安宏 ; 井上博胤* ; 山本直昌* ; 水木純一郎
Journal of Crystal Growth 251(1-4), p.51-55(2003) ; (JAERI-J 20084)

　MBE成長のさい，二次元成長する系では，一原子層ごとの成長に対応して，RHEED強度振動がおきることが知られている．同様の回折強度振動は，X線でも見られる．一般に，回折強度Iは，表面の原子配列で決まる構造因子Fと，表面粗さ因子mとの積I=Fmで表される．従来は，回折強度Iの測定から，主に表面粗さmに着目した議論がなされていた．これに対し本研究では，散漫散乱強度の測定から，Fとmを分離した解析が可能であることを示す．基板温度435℃でGaAs(001)成長を行なったとき，成長前の表面はc(4×4)構造であるが，成長中は表面のGa濃度が増えるため，2×1構造に変化する．したがって回折強度変化には，表面粗さ以外に，Fの変化に由来する成分も含まれる．本方法により，Fとmの寄与が分離して求められた．