2003年度

Surface and Interface Analysis

310775
Formation of Promising Co-C Nanocompositions
Lavrentiev, V.* ; 阿部弘亨 ; 山本春也 ; 楢本洋 ; 鳴海一雅
Surface and Interface Analysis 35(1), p.36-39(2003) ; (JAERI-J 20288)

　反応性の低いCoとC₆₀よりなる混合物の薄膜を，同時蒸着法により作製して，その微細構造の評価を，電子顕微鏡，ラマン分光及び原子間力顕微鏡などで行った結果について報告する．CoとC₆₀は，ナノスペース特有のCoの凝集過程とC₆₀の同素体変換過程を経て，炭素同素体で被覆されたCoナノ粒子よりなる，複合物質を形成する．特にその構造特性は，熱処理後に顕著になり，ナノCo結晶粒子に整合したナノダイアモンドの成長と，単一壁炭素ナノチューブの形成がその典型となる．会議では，上記結論に至る，微細構造解析の結果について，発表する．

320058
In situ analysis using synchrotron radiation photoemission spectroscopy for initial oxidation of oxygen preadsorbed Si(001) surfaces induced by supersonic O₂ molecular beams
吉越章隆 ; 寺岡有殿
Surface and Interface Analysis 34(1), p.432-436(2002) ; (JAERI-J 20608)

　超音速0₂分子線と高分解能放射光光電子分光法を組み合わせることにより，Si（001）初期酸化反応の実時“その場”観察を行うことに成功したので報告する．これまで，われわれはSPrin-8原研専用軟X線ビームライン（BL23SU）に表面化学の実験ステーションを設置し，Si電子デバイス作製で極めて重要なSi（001）初期酸化反応に着目し研究を開始した．Si-2p光電子スペクトルの内殻準位シフト（ケミカルシフト）を用いて，分子線照射時間にともなう酸化状態の変化を分子線照射下で観察することに成功した．特に，並進運動エネルギーが3.0eVの場合，Si³⁺に加えてSi⁴⁺の成分が分子線照射時間とともに増加することを見いだした．このように，高分解能放射光光電子分光法を用いることにより酸素の並進運動エネルギーによって引き起こされる酸化状態の時間変化を明らかにすることができた．さらに，Si-2s，Valence bandスペクトルをSi-2p光電子スペクトルと比較することにより酸化状態の並進運動エネルギー依存性を明らかにした．会議ではこれらの知見をもとにSi(001)表面初期酸化におよぼす並進運動エネルギーの役割とその反応メカニズムを詳細に議論する．