2003年度

Physica Status Solidi C

320052
Bandgaps of Ga_1-xIn_xN by all-electron GWA calculation
薄田学* ; 浜田典昭* ; 白石賢二* ; 押山淳*
Physica Status Solidi (C) 0(7), p.2733-2736(2003) ; (JAERI-J 20602)

　ウルツァイト型Ga_1-xIn_xNに対する準粒子バンド構造を，GW近似に基づく全電子FLAPW計算法を用いて計算した．InNに対するバンドギャップの計算値は1eV以下であり，最近報告された実験値を支持する結果となった．

310400
Effect of alloy composition on photoluminescence properties of europium implanted AlGaInN
中西康夫* ; 若原昭浩* ; 岡田浩* ; 吉田明* ; 大島武 ; 伊藤久義
Physica Status Solidi (C) 0(1), p.461-464(2002) ; (JAERI-J 19978)

　半導体発光素子の開発のために，ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)中へ，イオン注入法を用いて，優れた発光特性もつ希土類元素の一つであるユーロピウム(Eu)を導入した．また，今回はGaNとAlまたはInの混晶半導体であるAlGaN，InGaNへのEu注入も行った．これは，結晶の周期性，局所的な対称性が異なる混晶半導体を用いることで，導入したEu元素が母材結晶より受ける影響が変化し，発光効率も変化すると考えたからである．実験の結果，EuドープAlGaNでは，Eu³⁺からの発光強度がEuドープGaNよりも数倍増加したが，発光減衰時間は30%短くなった．EuドープInGaNでは，成長温度の違いからEu³⁺からの発光強度は低下したが，発光減衰時間は同程度であった．