2004年度

Emerging Lithographic Technologies VIII, Proceedings of SPIE Vol.5374

321019
Theoretical simulation of extreme UV radiation source for lithography
藤間一美* ; 西原功修* ; 河村徹* ; 古河裕之* ; 香川貴司* ; 小池文博* ; More, R.* ; 村上匡且* ; 西川亘* ; 佐々木明 ; 砂原淳* ; Zhakhovskii, V.* ; 藤本孝* ; 田沼肇*
Emerging Lithographic Technologies VIII, Proceedings of SPIE Vol.5374, p.405-412(2004) ; (JAERI-J 21420)

　次世代リソグラフィ用EUV光源の設計指針を与えるために行っている，理論，シミュレーション研究について報告する．原子過程シミュレーションと輻射流体シミュレーションを開発し，プラズマの温度，密度分布，放射X線スペクトル，13.5nm帯の放射への変換効率を評価する．ターゲットとして用いるXeやSnプラズマの複雑な原子過程の解析をより正確に行うため，複数の原子データコード(Hullac, Grasp等)とモデル計算（平均原子モデル），基礎的な分光実験を行い結果を相互に比較する．阪大レーザー研の激光XII号レーザーを用いて測定されたSnプラズマのEUV変換効率の解析を行う．