2004年度

Microelectronics Reliability

330173
Characterization of interface defects related to negative-bias temperature instability in ultrathin plasma-nitrided SiON/Si<100> systems
藤枝信次* ; 三浦喜直* ; 西藤哲史* ; 寺岡有殿 ; 吉越章隆
Microelectronics Reliability 45(1), p.57-64(2005) ; (JAERI-J 21575)

　界面準位測定・電子スピン共鳴・シンクロトロン放射光XPSを行って，プラズマ窒化酸化膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)が主として界面Siダングリングボンド(P_bセンター)からの水素脱離で起こることを明らかにした．NBTIでは非P_b欠陥も生成されるが，窒素ダングリングボンドは含まれない．プラズマ窒化はSiO₂/Si界面のストイキオメトリを劣化・界面準位を増加させるとともに，新たなP_b欠陥を生成する．窒化起因NBTIはこの界面欠陥の量的・質的変化に起因すると考えられる．