A System for ultra-fast transient ion and pulsed laser current microscopies as a function of temperature

温度をパラメータとしたイオン及びパルスレーザ誘起高速過渡現象測定系の構築

Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 小野田 忍*; 森 英喜*; 伊藤 久義

Laird, J. S.; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu*; Mori, Hidenobu*; Ito, Hisayoshi

われわれはシングルイベント発生の機構を解析し耐シングルイベント素子開発の指針となるデータを蓄積し、シミュレーション解析を実施している。さらに、入射イオン1個で半導体中に誘起される電荷の伝搬挙動を明らかにするために、イオンマイクロビームとレーザを用いた新たなデータ収集システムを開発をした。本国際会議では、開発した計測技術の概要に加え、TIBIC(Transient Ion Beam Induced Current)システムを用いて取得した15MeV酸素イオン照射時のシリコンダイオードに対するシングルイベント過渡電流波形の温度の影響、さらにガリウム砒素ダイオード及びMOSFETにおけるシングルイベント過渡電流波形と電荷収集マッピングデータ、レーザを用いて得られたシリコンダイオードの接合部マッピング等について紹介し、議論を行う。

no abstracts in English