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Kr$$^{20+}$$イオン照射及び照射後熱アニールによるBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$高温酸化物超伝導体単結晶の超伝導特性変化

Change in superconducting properties of Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$ single crystals by Kr$$^{20+}$$-ion irradiation followed by thermal annealing

荻窪 光慈*; 内田 幸宏*; 寺井 隆幸*; 山口 憲司*; 山脇 道夫*; 林 君夫

Ogikubo, Koji*; Uchida, Yukihiro*; Terai, Takayuki*; Yamaguchi, Kenji*; Yamawaki, Michio*; Hayashi, Kimio

原研から東京大学寺井教授への平成11年度委託研究「高温酸化物超伝導材料の照射改質方法の検討及び基礎試験(I)」の報告書である。高温工学に関する先端的基礎研究の一環として、高温工学試験研究炉(HTTR)を用いる新素材・材料開発研究の位置づけで、標記研究を平成6年度から開始しており、平成11年度は第2期の初年度にあたっている。超伝導材料Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$(Bi-2212)単結晶の高エネルギー重イオン(510MeV Kr)照射後の熱アニーリングに伴う特性変化の報告である。5$$times$$10$$^{10}$$cm$$^{-2}$$または5$$times$$10$$^{11}$$cm$$^{-2}$$の照射後に、試料を空気中、673Kまたは1073Kで1~6時間アニールした。673Kアニールの場合には、臨界電流密度Jcはアニール時間とともに徐々に減少した。一方、1073Kアニールの場合には、Jcは徐々に増加した。Jcとピニングポテンシャルの変化は、照射によって生成した柱状欠陥の数密度、サイズ及び回復挙動に密接に関係することがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

東京大学工学部総合試験所年報

巻

 :

59

号

 :

ページ数

 :

p.91 - 95

発行年月

 :

2000/12

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Superconductor; Bismuth; Irradiation; Annealing; Pinning; Critical Current Density

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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広報プレスリリース

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