中性子散乱はミクロスコピックな視点で磁性を研究することのできる強力な研究手段である。本稿ではサファイアアンビルセル(SAC)による高圧力発生の技術的なノウハウと、これを用いた高圧力下の中性子散乱による磁性研究について紹介する。(
2.5mmキュレットのアンビルとリン青銅ガスケットを用いて約6GPaまでの圧力発生に成功し、また、4.6GPaまでの圧力下でCeSbの磁気構造と圧力-温度相図を決定することができた。)高圧力下中性子散乱では、微小試料のために非常に低いシグナル強度しか得られない。これを補うためのスーパーミラーを用いた新しい集光デバイスの試みについても紹介する。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 11 |
号 |
: | 3 |
ページ数 |
: | p.203 - 210 |
発行年月 |
: | 2001/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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