AFM observation of nanosized SiC dots prepared by ion beam deposition

イオンビーム蒸着法により作製したナノサイズのSiCドットの原子間力顕微鏡観察

Xu, Y.; Narumi, Kazumasa; Miyashita, Kiyoshi*; Naramoto, Hiroshi

イオンビーム蒸着法により、高温でSi基板上に形成したナノサイズのSiCドットの原子間力顕微鏡観察に関する報告である。100eVの $^{12}$ C $^{+}$ をSi(111)基板上に、摂氏800-950度で蒸着して、AFMによる形態観察及びXPSによる結合状態の確認を行った。その結果、Siのステップに沿って、30nm程度のSiCドットが形成されることを明らかにした。さらに、摂氏850度以下の温度領域では、SiCドットは、ステップに沿って規則的に配列する自己組織化現象も観察された。シンポジウムでは、これらのことを中心に講演する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Surface and Interface Analysis
巻	:	35
号	:	1
ページ数	:	p.99 - 103
発行年月	:	2003/01
発表会議名	:	3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01)
開催年月	:	2001/11
開催都市	:	Nara
開催国	:	Japan
キーワード	:	IBD; Si; C; SiC; AFM; Nano-dot

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1002/sia.1502
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：25.19 分野：Chemistry, Physical
Altmetrics	:

登録番号 : B20010660
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 25885

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