thin films on a KBr(001) surface薄膜成長の基板温度依存Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi
KBr(001)表面上におけるC薄膜の成長過程の基盤温度依存を、原子間力顕微鏡を用いて調べた。その結果、基盤温度が45-165
Cの範囲において、基板温度に依存した3種類の島が観察された。プレート状の島は基板温度に依存せずに観察され、基板表面と平行にfcc構造の(111)面が成長する。一方、基板温度が高いときには、3次元的な構造を持つ島が観察された。薄膜のX線回折の基板温度依存より、3次元的な構造を持つ島はfcc構造の(110)面の成長によるものと考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.190 - 192 |
発行年月 |
: | 2001/11 |
キーワード |
: | フラーレン; KBr; 原子間力顕微鏡; X線回折; ヘテロエピタキシャル成長 |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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