-ray irradiation線照射によりInGaAsPレーザダイオードに導入される格子欠陥大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍; 高見 保清*; 伊藤 久義
Oyama, Hidenori*; Hirao, Toshio; Simoen, E.*; Claeys, C.*; Onoda, Shinobu; Takami, Yasukiyo*; Ito, Hisayoshi
InGaAsP系レーザダイオードにおいて高温線照射により発生する格子欠陥とその素子特性に及ぼす影響を明らかにするために、レーザダイオード試料にCo-60線源を用いて線照射を実施した。線の照射量は最高100Mradとし、照射中の試料温度は20,100,200
とした。照射前後にダイオードの電流・電圧(I-V)特性,容量・電圧(C-V)特性を室温にて測定した結果、照射後の順方向,逆方向電流及び光出力は照射温度の増加に伴い増加すること、また、これとは反対にしきい値電流は減少することがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 308-310 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.1185 - 1188 |
発行年月 |
: | 2001/12 |
発表会議名 |
: | 21st International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-21) |
開催年月 |
: | 2001/07 |
開催都市 |
: | Giessen |
開催国 |
: | Germany |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：44.94 分野：Physics, Condensed Matter |
Altmetrics |
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